Princípio da iluminação a laser semicondutor

Depois que a corrente é injetada nos dois eletrodos, os elétrons nos átomos do material ativo na camada ativa são excitados do estado de baixa energia para o estado de alta energia. Esses elétrons de alta energia emitem luz quando são reduzidos de um estado de alta energia para um estado de baixa energia, o que é chamado de emissão espontânea. A luz emitida espontaneamente não é muito pura, isto é, contém uma linha espectral mais ampla. Se a luz irradiada espontaneamente é forte, a luz é refletida para frente e para trás nos dois espelhos do semicondutor. Nesse processo, para cada energia luminosa com a mesma fase, a energia é sobreposta e maior; para cada energia luminosa com fase inconsistente, a energia enfraquece e torna-se cada vez menor. A energia é convertida em energia de luz de um comprimento de onda específico, de acordo com a cavidade formada pelas duas superfícies espelhadas do semicondutor, e forma um laser quando ele oscila. O laser é gerado pela chamada radiação estimulada. O espelho do semicondutor é liso e translúcido, e o laser pode sair do espelho. A função da camada de confinamento é concentrar a energia luminosa dentro da camada ativa para aumentar a eficiência. O comprimento de onda da luz emitida pelo laser semicondutor depende principalmente da distância entre o material do semicondutor e a superfície do espelho.