Apr 03, 2025 Deixe um recado

Os fabricantes de laser chineses são os primeiros a alcançar 12- polegada de arremessos de substrato de carboneto de silício

Recentemente, os fabricantes de laser chineses implementaram com sucesso uma solução de automação de laser de substrato {0}} pol.

Anteriormente, os fabricantes de laser chineses assumiram a liderança no lançamento do "8-} polegada de pó de silício de carboneto de silício, o equipamento de remoção de laser" e ganhou o reconhecimento de "o primeiro equipamento doméstico" em janeiro deste ano.

 

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Comparado com os materiais tradicionais de silício, o carboneto de silício possui uma lacuna de banda mais ampla, maior ponto de fusão, maior mobilidade de elétrons e maior condutividade térmica. Pode funcionar de forma estável sob condições de alta temperatura e alta tensão. Tornou -se um material -chave para a atualização de novas indústrias de energia e semicondutores e promoveu revoluções tecnológicas em veículos elétricos, geração de energia fotovoltaica, grades inteligentes, comunicações sem fio e outros campos.

 

No entanto, a proporção de custos de material de substrato no custo total permanece alto, o que dificulta seriamente a industrialização e a promoção em larga escala de dispositivos de carboneto de silício. Uma das maneiras importantes de reduzir custos e aumentar a eficiência é fabricar materiais de substrato de carboneto de silício maiores. Comparado com os substratos 6- polegada e 8-} polegada, os materiais substratos 12- polegadas podem expandir ainda mais a área disponível para fabricação de chips em uma única bolacha, aumentar significativamente a produção e reduzir os custos unitários nas mesmas condições de produção.

 

Em dezembro de 2024, as empresas líderes domésticas de carboneto de silício divulgaram a última geração de substratos 12- polegada de carboneto de silício. Ao liderar a tendência do desenvolvimento internacional, eles também apresentaram a demanda por fatias de substratos de carboneto de silício de tamanho ultra grande acima de 12 polegadas.

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Da mesma forma, os fabricantes de laser chineses lançaram o "Tecnologia de remoção de laser de substrato de carboneto de silício de tamanho de silício" na velocidade mais rápida, assumindo a liderança na solução do problema de "fatia" de 12-} polegada e maiores substratos de carboidratos de silício.

 

Essa tecnologia pode obter posicionamento preciso, processamento uniforme e remoção contínua de lingotes de carboneto de silício. Suas vantagens pendentes são:

  • Automação- A automação do desbaste de lingote, processamento a laser, decapagem do substrato e outros processos foi realizada. Cada processo pode ser operado em paralelo e a linha de produção pode ser implantada com flexibilidade.
  • Baixa perda- Nenhuma perda de material durante o processo de remoção do laser. Somente cerca de 80-100 μm de material precisa ser removido das superfícies superior e inferior no processo de afinamento subsequente. Comparado com a tecnologia de corte tradicional, a perda de matérias -primas é bastante reduzida.
  • Alta eficiência-O tempo de produção de substrato é bastante reduzido, o que acelera a iteração de pesquisa e desenvolvimento da tecnologia de substrato de carboneto de silício de tamanho ultra grande. Também pode ser usado para produção em massa em larga escala de substratos de carboneto de silício de tamanho ultra grande no futuro, promovendo a redução de custos e a melhoria da eficiência no setor.

 

Como uma indústria típica intensiva em tecnologia, a indústria de materiais semicondutores foi atormentada pela falta de tecnologia e talentos de ponta, e os anos de bloqueio de tecnologia estrangeira impediram o rápido desenvolvimento da indústria. A equipe fundadora do fabricante a laser da China veio do Laboratório de Tecnologia de Nanofotônicas e Instrumentos da West Lake University. A equipe está profundamente envolvida no campo da micro-nanoptoeletrônica há muitos anos, incluindo tecnologia de processamento de micro-nano e equipamentos de instrumentos, teoria de fótons de micro-nano e dispositivos optoeletrônicos, teorias e tecnologias principais para aplicações inteligentes, etc., fornecendo forte suporte à inovação e reservas técnicas para fabricantes de laser.

 

De acordo com a previsão de Yole, em 2027, o tamanho do mercado global de dispositivos de energia de carboneto de silício atingirá US $ 6,7 bilhões, com uma taxa de crescimento anual composta de 33,5%, tornando -se um material central no campo de novas energia e semicondutores. Os óculos AR quentes também usam "carboneto de silício" como material da lente para completar a transição de desempenho. Espera -se que o tamanho do mercado global de óculos AR exceder US $ 300 bilhões em 2030, tornando -se outro "novo oceano azul" para a aplicação de materiais de carboneto de silício. Acredita -se que, com o avanço contínuo dos processos de fabricação e a expansão contínua dos campos de aplicação, os dispositivos de carboneto de silício acabarão brilhar nos campos semicondutores e ópticos.

 

A MRJ-Laser é uma empresa profissional de instrumentos e equipamentos que integra P&D, produção e vendas. Ele está posicionado para resolver os pontos problemáticos da indústria de fabricação avançada, aplicar a tecnologia principal de informações micro-nano-optoeletrônicas e fornecer instrumentos e equipamentos de caracterização de processamento de precisão. Com a missão de ajudar todos os avanços tecnológicos, continua a promover o desenvolvimento de tecnologias inovadoras na indústria de optoeletrônica.

 

A MRJ-Laser aplicou a tecnologia de processamento a laser ultra-rápida à indústria de processamento de substrato de carboneto de silício, concluiu o desenvolvimento de equipamentos de remoção de laser de substrato de carboneto de silício e sistemas integrados e alcançou a aplicação de empresas líderes de substrato de carboneto de silício. O produto foi certificado como o primeiro equipamento na China. A tecnologia relevante também possui um potencial de aplicação promissor no processamento de novos materiais de substrato, como nitreto de gálio e diamante.

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